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STMicroelectronics STL9N60M2


Produttore
Codice Parte Mfr.
STL9N60M2
Codice Parte EBEE
E82970419
Confezione
VDFN-8-Power
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
600V 4.8A 48W 0.86Ω@10V,2.4A 3V@250uA 1 N-channel VDFN-8-Power MOSFETs ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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Nome Contatto
Email Aziendale
Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$2.3010$ 2.3010
200+$0.8916$ 178.3200
500+$0.8607$ 430.3500
1000+$0.8442$ 844.2000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaST STL9N60M2
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+150℃
Tipo di tipo1 N-channel
Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss)600V
Corrente di scarico continuo (Id)4.8A
Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id)0.86Ω@10V,2.4A
Dissipazione di potenza (Pd)48W
Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id)3V@250uA
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)0.68pF@100V
Capacità di ingresso (Ciss-Vds)320pF@100V
Carica totale del cancello (Qg-Vgs)10nC

Guida all’acquisto

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