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STMicroelectronics STL8N10F7
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STL8N10F7 |
| Codice Parte EBEE | E8222400 |
| Confezione | PowerVDFN-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 8A 20mΩ@10V,4A 2.9W 4.5V@250uA 1 N-channel PowerVDFN-8 MOSFETs ROHS |
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|---|---|---|
| 1+ | $1.3123 | $ 1.3123 |
| 10+ | $1.0807 | $ 10.8070 |
| 30+ | $0.9541 | $ 28.6230 |
| 100+ | $0.8090 | $ 80.9000 |
| 500+ | $0.7457 | $ 372.8500 |
| 1000+ | $0.7164 | $ 716.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STL8N10F7 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 20mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 25pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.64nF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@50V |
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