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STMicroelectronics STL57N65M5
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STL57N65M5 |
| Codice Parte EBEE | E8501013 |
| Confezione | PowerFLAT(8x8) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 22.5A 0.069Ω@10V,17.5A 189W 3V@250uA 1 N-channel PowerFLAT(8x8) MOSFETs ROHS |
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|---|---|---|
| 1+ | $6.7383 | $ 6.7383 |
| 10+ | $5.8838 | $ 58.8380 |
| 30+ | $5.3634 | $ 160.9020 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STL57N65M5 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 69mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 189W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 22.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 96nC@520V |
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