| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STL15N65M5 |
| Codice Parte EBEE | E82970161 |
| Confezione | VDFN-8-Power |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 10A 52W 375mΩ@10V,5A 4V@250uA 1 N-channel VDFN-8-Power MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6630 | $ 3.6630 |
| 200+ | $1.4185 | $ 283.7000 |
| 500+ | $1.3693 | $ 684.6500 |
| 1000+ | $1.3438 | $ 1343.8000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STL15N65M5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 10A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 375mΩ@10V,5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 52W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2.6pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 816pF | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 22nC@520V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6630 | $ 3.6630 |
| 200+ | $1.4185 | $ 283.7000 |
| 500+ | $1.3693 | $ 684.6500 |
| 1000+ | $1.3438 | $ 1343.8000 |
