| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STL10N60M6 |
| Codice Parte EBEE | E82970135 |
| Confezione | VDFN-8-Power |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 5.5A 48W 550mΩ@10V,2.75A 3.25V@250uA 1 N-channel VDFN-8-Power MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3375 | $ 2.3375 |
| 200+ | $0.9044 | $ 180.8800 |
| 500+ | $0.8734 | $ 436.7000 |
| 1000+ | $0.8570 | $ 857.0000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STL10N60M6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 5.5A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 550mΩ@10V,2.75A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 48W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3.25V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 3.8pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 338pF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 8.8nC |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3375 | $ 2.3375 |
| 200+ | $0.9044 | $ 180.8800 |
| 500+ | $0.8734 | $ 436.7000 |
| 1000+ | $0.8570 | $ 857.0000 |
