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STMicroelectronics STI6N80K5
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STI6N80K5 |
| Codice Parte EBEE | E8501005 |
| Confezione | TO-262(I2PAK) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 800V 4.5A 1.3Ω@10V,2A 85W 4V@100uA 1 N-channel TO-262(I2PAK) MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2490 | $ 1.2490 |
| 10+ | $1.0282 | $ 10.2820 |
| 50+ | $0.9062 | $ 45.3100 |
| 100+ | $0.7688 | $ 76.8800 |
| 500+ | $0.7086 | $ 354.3000 |
| 1000+ | $0.6809 | $ 680.9000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STI6N80K5 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 1.3Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 700fF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 85W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 270pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
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