Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
STMicroelectronics STI33N60M6
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STI33N60M6 |
| Codice Parte EBEE | E83288465 |
| Confezione | I2PAK(TO-262) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 25A 125mΩ@10V,12.5A 190W 4V@250uA 1 N-channel I2PAK(TO-262) MOSFETs ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.0528 | $ 4.0528 |
| 200+ | $1.5686 | $ 313.7200 |
| 500+ | $1.5136 | $ 756.8000 |
| 1000+ | $1.4871 | $ 1487.1000 |
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STI33N60M6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 25A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 125mΩ@10V,12.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 190W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 4.2pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.515nF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 33.4nC |
Guida all’acquisto
Espandi
In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.0528 | $ 4.0528 |
| 200+ | $1.5686 | $ 313.7200 |
| 500+ | $1.5136 | $ 756.8000 |
| 1000+ | $1.4871 | $ 1487.1000 |
