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STMicroelectronics STI10N62K3
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STI10N62K3 |
| Codice Parte EBEE | E85931865 |
| Confezione | I2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 620V 8.4A 750mΩ@10V,4A 125W 4.5V@100uA 1 N-channel I2PAK MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1342 | $ 3.1342 |
| 200+ | $1.2504 | $ 250.0800 |
| 500+ | $1.2084 | $ 604.2000 |
| 1000+ | $1.1884 | $ 1188.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STI10N62K3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 620V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 8.4A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 750mΩ@10V,4A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 125W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4.5V@100uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.25nF@50V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 42nC@10V |
Guida all’acquisto
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1342 | $ 3.1342 |
| 200+ | $1.2504 | $ 250.0800 |
| 500+ | $1.2084 | $ 604.2000 |
| 1000+ | $1.1884 | $ 1188.4000 |
