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STMicroelectronics STHU32N65DM6AG
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STHU32N65DM6AG |
| Codice Parte EBEE | E83278146 |
| Confezione | TO-263-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 37A 83mΩ@10V,18.5A 320W 3.25V@250uA 1 N-channel TO-263-8 MOSFETs ROHS |
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|---|---|---|
| 1+ | $13.3923 | $ 13.3923 |
| 10+ | $11.6189 | $ 116.1890 |
| 30+ | $10.5384 | $ 316.1520 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STHU32N65DM6AG | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 97mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 0.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 320W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 37A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.211nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 106pF | |
| Gate Charge(Qg) | 52.6nC@10V |
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