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STMicroelectronics STH80N10F7-2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STH80N10F7-2 |
| Codice Parte EBEE | E8411894 |
| Confezione | H2PAK-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 80A 9.5mΩ@10V,40A 110W 4.5V@250uA 1 N-channel H2PAK-2 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5603 | $ 1.5603 |
| 10+ | $1.3384 | $ 13.3840 |
| 30+ | $1.2159 | $ 36.4770 |
| 100+ | $1.0793 | $ 107.9300 |
| 500+ | $1.0189 | $ 509.4500 |
| 1000+ | $0.9905 | $ 990.5000 |
| 2000+ | $0.9798 | $ 1959.6000 |
| 4000+ | $0.9728 | $ 3891.2000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STH80N10F7-2 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 100V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 80A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 9.5mΩ@10V,40A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 110W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4.5V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 45pF@50V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 3.1nF@50V |
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| 1+ | $1.5603 | $ 1.5603 |
| 10+ | $1.3384 | $ 13.3840 |
| 30+ | $1.2159 | $ 36.4770 |
| 100+ | $1.0793 | $ 107.9300 |
| 500+ | $1.0189 | $ 509.4500 |
| 1000+ | $0.9905 | $ 990.5000 |
| 2000+ | $0.9798 | $ 1959.6000 |
| 4000+ | $0.9728 | $ 3891.2000 |
