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STMicroelectronics STH30N65DM6-7AG
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STH30N65DM6-7AG |
| Codice Parte EBEE | E83288433 |
| Confezione | H2PAK-7 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 28A 115mΩ@10V,10A 223W 4.75V@250uA 1 N-channel H2PAK-7 MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $10.3444 | $ 10.3444 |
| 10+ | $9.9104 | $ 99.1040 |
| 30+ | $9.6454 | $ 289.3620 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STH30N65DM6-7AG | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 115mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 1.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 223W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 28A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 130pF | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC@10V |
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