Recommonended For You
63% off
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti

STMicroelectronics STGD4M65DF2


Produttore
Codice Parte Mfr.
STGD4M65DF2
Codice Parte EBEE
E8222118
Confezione
DPAK
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
68W 8A 650V FS(Field Stop) TO-252-2(DPAK) IGBT Transistors / Modules ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>
701 In Magazzino per Consegna Rapida
701 disponibile per consegna immediata
Può essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$0.3117$ 0.3117
10+$0.2835$ 2.8350
30+$0.2683$ 8.0490
100+$0.2507$ 25.0700
500+$0.2425$ 121.2500
1000+$0.2390$ 239.0000
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,Transistor / Moduli IGBT
Scheda TecnicaSTMicroelectronics STGD4M65DF2
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+175℃@(Tj)
Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces)650V
Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic)5V@250uA
Pd - Power Dissipation68W
IGBT TypeFS (Field Stop)
Gate Charge(Qg)15.2nC
Td(off)86ns
Td(on)12ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)8pF
Reverse Recovery Time(trr)133ns
Switching Energy(Eoff)136uJ
Turn-On Energy (Eon)40uJ
Input Capacitance(Cies)369pF
Pulsed Current- Forward(Ifm)16A
Output Capacitance(Coes)24.8pF

Guida all’acquisto

Espandi