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Hangzhou Silan Microelectronics SGT50T65FD1PN


Produttore
Codice Parte Mfr.
SGT50T65FD1PN
Codice Parte EBEE
E82761787
Confezione
TO-3P-3
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
TO-3P-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
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1200+$0.6542$ 785.0400
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TipoDescrizione
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CategoriaTransistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules
Scheda TecnicaHangzhou Silan Microelectronics SGT50T65FD1PN
RoHS
Operating Temperature-55℃~+150℃
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)650V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)5V
Pd - Power Dissipation235W
IGBT TypeFS (Field Stop)
Gate Charge(Qg)46nC@15V
Td(off)130ns
Td(on)45ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)42pF
Reverse Recovery Time(trr)33ns
Switching Energy(Eoff)3.8mJ
Turn-On Energy (Eon)1mJ
Input Capacitance(Cies)4.5nF
Pulsed Current- Forward(Ifm)-
Output Capacitance(Coes)100pF

Guida all’acquisto

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