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Infineon Technologies IGW08T120
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IGW08T120 |
| Codice Parte EBEE | E8536088 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,Single IGBTs | |
| Scheda Tecnica | Infineon IGW08T120 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃ | |
| Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces) | 1.2kV | |
| Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic) | [email protected] | |
| Pd - Power Dissipation | 70W | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC@15V | |
| Td(off) | 70ns | |
| Td(on) | 40ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 28pF | |
| Switching Energy(Eoff) | 700uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 700uJ | |
| Output Capacitance(Coes) | 36pF |
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