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STMicroelectronics STF28N65M2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STF28N65M2 |
| Codice Parte EBEE | E82970248 |
| Confezione | TO-220FP |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 20A 0.18Ω@10V,10A 30W 3V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5550 | $ 3.5550 |
| 10+ | $3.0725 | $ 30.7250 |
| 30+ | $2.7849 | $ 83.5470 |
| 100+ | $2.1927 | $ 219.2700 |
| 500+ | $2.0597 | $ 1029.8500 |
| 1000+ | $1.9994 | $ 1999.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STF28N65M2 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 180mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 30W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.44nF | |
| Gate Charge(Qg) | 35nC@10V |
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