| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STF26N65DM2 |
| Codice Parte EBEE | E8500980 |
| Confezione | TO-220FP |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 20A 0.19Ω@10V,10A 30W 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.9419 | $ 1.9419 |
| 10+ | $1.9011 | $ 19.0110 |
| 30+ | $1.8745 | $ 56.2350 |
| 100+ | $1.8478 | $ 184.7800 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STF26N65DM2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 20A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.19Ω@10V,10A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 30W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.48nF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | - |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.9419 | $ 1.9419 |
| 10+ | $1.9011 | $ 19.0110 |
| 30+ | $1.8745 | $ 56.2350 |
| 100+ | $1.8478 | $ 184.7800 |
