Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
STMicroelectronics STF16N65M2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STF16N65M2 |
| Codice Parte EBEE | E8726248 |
| Confezione | TO-220FP |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 11A 360mΩ@10V,5.5A 25W 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3156 | $ 1.3156 |
| 10+ | $1.1180 | $ 11.1800 |
| 50+ | $1.0094 | $ 50.4700 |
| 100+ | $0.8872 | $ 88.7200 |
| 500+ | $0.8328 | $ 416.4000 |
| 1000+ | $0.8072 | $ 807.2000 |
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STF16N65M2 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 360mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 718pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19.5nC@10V |
Guida all’acquisto
Espandi
In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3156 | $ 1.3156 |
| 10+ | $1.1180 | $ 11.1800 |
| 50+ | $1.0094 | $ 50.4700 |
| 100+ | $0.8872 | $ 88.7200 |
| 500+ | $0.8328 | $ 416.4000 |
| 1000+ | $0.8072 | $ 807.2000 |
