| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STF15N65M5 |
| Codice Parte EBEE | E8472601 |
| Confezione | TO-220FP |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 11A 0.308Ω@10V,5.5A 85W 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.5596 | $ 5.5596 |
| 10+ | $4.8113 | $ 48.1130 |
| 50+ | $4.1972 | $ 209.8600 |
| 100+ | $3.7476 | $ 374.7600 |
| 500+ | $3.5394 | $ 1769.7000 |
| 1000+ | $3.4459 | $ 3445.9000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STF15N65M5 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 308mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2.6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 85W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 816pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@520V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.5596 | $ 5.5596 |
| 10+ | $4.8113 | $ 48.1130 |
| 50+ | $4.1972 | $ 209.8600 |
| 100+ | $3.7476 | $ 374.7600 |
| 500+ | $3.5394 | $ 1769.7000 |
| 1000+ | $3.4459 | $ 3445.9000 |
