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STMicroelectronics STF12N65M2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STF12N65M2 |
| Codice Parte EBEE | E82965438 |
| Confezione | TO-220-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 8A 0.5Ω@10V,4A 25W 4V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6072 | $ 4.6072 |
| 10+ | $4.0402 | $ 40.4020 |
| 30+ | $3.7043 | $ 111.1290 |
| 100+ | $3.3647 | $ 336.4700 |
| 500+ | $3.0541 | $ 1527.0500 |
| 1000+ | $2.9837 | $ 2983.7000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STF12N65M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 8A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.5Ω@10V,4A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 25W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 1.1pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 535pF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 16.7nC@520V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $4.6072 | $ 4.6072 |
| 10+ | $4.0402 | $ 40.4020 |
| 30+ | $3.7043 | $ 111.1290 |
| 100+ | $3.3647 | $ 336.4700 |
| 500+ | $3.0541 | $ 1527.0500 |
| 1000+ | $2.9837 | $ 2983.7000 |
