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STMicroelectronics STF10N60DM2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STF10N60DM2 |
| Codice Parte EBEE | E83280947 |
| Confezione | TO-220FP |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 8A 25W 0.53Ω@10V,4A 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1123 | $ 2.1123 |
| 200+ | $0.8185 | $ 163.7000 |
| 500+ | $0.7895 | $ 394.7500 |
| 1000+ | $0.7750 | $ 775.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STF10N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 8A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.53Ω@10V,4A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 25W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 0.72pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 529pF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 15nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $2.1123 | $ 2.1123 |
| 200+ | $0.8185 | $ 163.7000 |
| 500+ | $0.7895 | $ 394.7500 |
| 1000+ | $0.7750 | $ 775.0000 |
