Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti

STMicroelectronics STD8N80K5


Produttore
Codice Parte Mfr.
STD8N80K5
Codice Parte EBEE
E8165934
Confezione
TO-252-2(DPAK)
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
800V 6A 110W 950mΩ@10V,3A 5V@100uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>

In Magazzino : Si Prega di Richiedere

Invia RFQ, risponderemo immediatamente.

Nome Contatto
Email Aziendale
Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$2.6376$ 2.6376
10+$2.2952$ 22.9520
30+$2.0804$ 62.4120
100+$1.8602$ 186.0200
500+$1.7609$ 880.4500
1000+$1.7165$ 1716.5000
2500+$1.6969$ 4242.2500
5000+$1.6828$ 8414.0000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaST STD8N80K5
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+150℃@(Tj)
Tipo di tipo1 N-channel
Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss)800V
Corrente di scarico continuo (Id)6A
Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id)950mΩ@10V,3A
Dissipazione di potenza (Pd)110W
Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id)5V@100uA
Capacità di ingresso (Ciss-Vds)450pF@100V
Carica totale del cancello (Qg-Vgs)16.5nC@10V

Guida all’acquisto

Espandi