Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
STMicroelectronics STD65N55F3
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD65N55F3 |
| Codice Parte EBEE | E85269570 |
| Confezione | DPAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 55V 80A 110W 8.5mΩ@10V,32A 4V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>17 In Magazzino per Consegna Rapida
17 disponibile per consegna immediataPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7474 | $ 1.7474 |
| 10+ | $1.7041 | $ 17.0410 |
| 30+ | $1.6762 | $ 50.2860 |
| 100+ | $1.6469 | $ 164.6900 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STD65N55F3 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 8.5mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 25pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 45nC@27V |
Guida all’acquisto
Espandi
17 Stock for Shipping Fast
17 available for immediate shippingPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7474 | $ 1.7474 |
| 10+ | $1.7041 | $ 17.0410 |
| 30+ | $1.6762 | $ 50.2860 |
| 100+ | $1.6469 | $ 164.6900 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
