Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
STMicroelectronics STD16N60M6
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD16N60M6 |
| Codice Parte EBEE | E83277926 |
| Confezione | DPAK(TO-252) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 12A 110W 0.32Ω@10V,6A 3.25V@250uA 1 N-channel DPAK(TO-252) MOSFETs ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7515 | $ 1.7515 |
| 200+ | $0.6779 | $ 135.5800 |
| 500+ | $0.6548 | $ 327.4000 |
| 1000+ | $0.6424 | $ 642.4000 |
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STD16N60M6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 12A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.32Ω@10V,6A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 110W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3.25V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 3pF@10V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 575pF@10V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 16.7nC@10V |
Guida all’acquisto
Espandi
In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7515 | $ 1.7515 |
| 200+ | $0.6779 | $ 135.5800 |
| 500+ | $0.6548 | $ 327.4000 |
| 1000+ | $0.6424 | $ 642.4000 |
