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STMicroelectronics STD11N60M6
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD11N60M6 |
| Codice Parte EBEE | E85268761 |
| Confezione | DPAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 8A 520mΩ 90W DPAK MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $1.8030 | $ 1.8030 |
| 10+ | $1.7628 | $ 17.6280 |
| 30+ | $1.7365 | $ 52.0950 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STD11N60M6 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 500mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 90W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 387pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 35pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10.3nC@10V |
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