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STMicroelectronics STD10NM60ND
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD10NM60ND |
| Codice Parte EBEE | E82971509 |
| Confezione | DPAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 10A 70W 0.55Ω@10V,4A 2V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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|---|---|---|
| 1+ | $2.2086 | $ 2.2086 |
| 10+ | $2.1049 | $ 21.0490 |
| 30+ | $2.0431 | $ 61.2930 |
| 100+ | $1.9797 | $ 197.9700 |
| 500+ | $1.9518 | $ 975.9000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STD10NM60ND | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 550mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 1.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 70W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 540pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC@10V |
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