| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB8N90K5 |
| Codice Parte EBEE | E82935160 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 900V 8A 680mΩ@10V,4A 130W 3V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.8737 | $ 4.8737 |
| 200+ | $1.8872 | $ 377.4400 |
| 500+ | $1.8196 | $ 909.8000 |
| 1000+ | $1.7869 | $ 1786.9000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB8N90K5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 900V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 8A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 680mΩ@10V,4A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 130W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3V@100uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 1.2pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 426pF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 11nC |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.8737 | $ 4.8737 |
| 200+ | $1.8872 | $ 377.4400 |
| 500+ | $1.8196 | $ 909.8000 |
| 1000+ | $1.7869 | $ 1786.9000 |
