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STMicroelectronics STB80NF10T4
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB80NF10T4 |
| Codice Parte EBEE | E8457511 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 80A 300W 0.015Ω@10V,40A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8946 | $ 1.8946 |
| 10+ | $1.7516 | $ 17.5160 |
| 30+ | $1.6632 | $ 49.8960 |
| 100+ | $1.5716 | $ 157.1600 |
| 500+ | $1.5298 | $ 764.9000 |
| 1000+ | $1.5121 | $ 1512.1000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB80NF10T4 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 15mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 175pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.5nF | |
| Gate Charge(Qg) | 182nC@50V |
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| 10+ | $1.7516 | $ 17.5160 |
| 30+ | $1.6632 | $ 49.8960 |
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