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STMicroelectronics STB6N80K5
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB6N80K5 |
| Codice Parte EBEE | E82969906 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 800V 4.5A 85W 1.6Ω@10V,2A 5V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $1.7941 | $ 1.7941 |
| 10+ | $1.7554 | $ 17.5540 |
| 30+ | $1.7291 | $ 51.8730 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB6N80K5 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.3Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 700fF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 85W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 270pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
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