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STMicroelectronics STB6N60M2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB6N60M2 |
| Codice Parte EBEE | E82971698 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 4.5A 60W 1.2Ω@10V,2.25A 2V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0713 | $ 3.0713 |
| 10+ | $2.6492 | $ 26.4920 |
| 30+ | $2.3972 | $ 71.9160 |
| 100+ | $2.1436 | $ 214.3600 |
| 500+ | $2.0271 | $ 1013.5500 |
| 1000+ | $1.9735 | $ 1973.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB6N60M2 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.2Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 700fF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 232pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.2nC@10V |
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| 10+ | $2.6492 | $ 26.4920 |
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