| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB45N30M5 |
| Codice Parte EBEE | E8500943 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 300V 53A 0.04Ω@10V,26.5A 250W 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.2422 | $ 12.2422 |
| 10+ | $10.8826 | $ 108.8260 |
| 30+ | $10.0536 | $ 301.6080 |
| 100+ | $9.3578 | $ 935.7800 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB45N30M5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 300V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 53A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.04Ω@10V,26.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 250W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 9.5pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 4.24nF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 95nC@240V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.2422 | $ 12.2422 |
| 10+ | $10.8826 | $ 108.8260 |
| 30+ | $10.0536 | $ 301.6080 |
| 100+ | $9.3578 | $ 935.7800 |
