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STMicroelectronics STB43N60DM2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB43N60DM2 |
| Codice Parte EBEE | E85268671 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 34A 250W 0.085Ω@10V,17A 3V@250uA D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0504 | $ 3.0504 |
| 200+ | $1.1816 | $ 236.3200 |
| 500+ | $1.1403 | $ 570.1500 |
| 1000+ | $1.1187 | $ 1118.7000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB43N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| La configurazione | Half Bridge | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 34A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.085Ω@10V,17A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 250W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 2.5nF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 56nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $3.0504 | $ 3.0504 |
| 200+ | $1.1816 | $ 236.3200 |
| 500+ | $1.1403 | $ 570.1500 |
| 1000+ | $1.1187 | $ 1118.7000 |
