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STMicroelectronics STB42N65M5
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB42N65M5 |
| Codice Parte EBEE | E83277503 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 33A 190W 70mΩ@10V,16.5A 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.8003 | $ 18.8003 |
| 10+ | $17.9711 | $ 179.7110 |
| 30+ | $16.5347 | $ 496.0410 |
| 100+ | $15.2815 | $ 1528.1500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB42N65M5 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 79mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 3.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.65nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 110pF | |
| Gate Charge(Qg) | 98nC@520V |
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| 10+ | $17.9711 | $ 179.7110 |
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