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STMicroelectronics STB40N60M2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB40N60M2 |
| Codice Parte EBEE | E83288186 |
| Confezione | D2PAK(TO-263) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 34A 0.078Ω@10V,17A 250W 2V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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|---|---|---|
| 1+ | $5.1198 | $ 5.1198 |
| 10+ | $4.9940 | $ 49.9400 |
| 30+ | $4.9101 | $ 147.3030 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB40N60M2 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 88mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 34A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 117pF | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC@10V |
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