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STMicroelectronics STB35N60DM2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB35N60DM2 |
| Codice Parte EBEE | E8472576 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 28A 0.094Ω@10V,14A 210W 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.1806 | $ 6.1806 |
| 10+ | $5.4954 | $ 54.9540 |
| 30+ | $5.0766 | $ 152.2980 |
| 100+ | $4.7251 | $ 472.5100 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB35N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| La configurazione | - | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 28A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.094Ω@10V,14A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 210W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2.8pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 2.4nF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 54nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $6.1806 | $ 6.1806 |
| 10+ | $5.4954 | $ 54.9540 |
| 30+ | $5.0766 | $ 152.2980 |
| 100+ | $4.7251 | $ 472.5100 |
