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STMicroelectronics STB34NM60N
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB34NM60N |
| Codice Parte EBEE | E87021959 |
| Confezione | D2PAK(TO-263) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 29A 105mΩ@10V,14.5A 250W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $17.1401 | $ 17.1401 |
| 200+ | $6.8396 | $ 1367.9200 |
| 500+ | $6.6115 | $ 3305.7500 |
| 1000+ | $6.4983 | $ 6498.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB34NM60N | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 29A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 105mΩ@10V,14.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 250W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 2.722nF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 84nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $17.1401 | $ 17.1401 |
| 200+ | $6.8396 | $ 1367.9200 |
| 500+ | $6.6115 | $ 3305.7500 |
| 1000+ | $6.4983 | $ 6498.3000 |
