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STMicroelectronics STB33N60DM6
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB33N60DM6 |
| Codice Parte EBEE | E83277533 |
| Confezione | D2PAK(TO-263) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 25A 128mΩ@10V,12.5A 190W 4.75V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4982 | $ 4.4982 |
| 200+ | $1.7408 | $ 348.1600 |
| 500+ | $1.6804 | $ 840.2000 |
| 1000+ | $1.6503 | $ 1650.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB33N60DM6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 25A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 128mΩ@10V,12.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 190W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4.75V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 3pF | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.5nF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 35nC |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $4.4982 | $ 4.4982 |
| 200+ | $1.7408 | $ 348.1600 |
| 500+ | $1.6804 | $ 840.2000 |
| 1000+ | $1.6503 | $ 1650.3000 |
