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STMicroelectronics STB32NM50N
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB32NM50N |
| Codice Parte EBEE | E82971411 |
| Confezione | D2PK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 500V 22A 0.13Ω@10V,11A 190W 4V@250uA 1 N-channel D2PK MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2613 | $ 5.2613 |
| 10+ | $4.5869 | $ 45.8690 |
| 30+ | $4.1859 | $ 125.5770 |
| 100+ | $3.7813 | $ 378.1300 |
| 500+ | $3.5950 | $ 1797.5000 |
| 1000+ | $3.5098 | $ 3509.8000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB32NM50N | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 500V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 22A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.13Ω@10V,11A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 190W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 9.7pF@500V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1973pF@500V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 62.5nC |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $5.2613 | $ 5.2613 |
| 10+ | $4.5869 | $ 45.8690 |
| 30+ | $4.1859 | $ 125.5770 |
| 100+ | $3.7813 | $ 378.1300 |
| 500+ | $3.5950 | $ 1797.5000 |
| 1000+ | $3.5098 | $ 3509.8000 |
