| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB30NF20 |
| Codice Parte EBEE | E8221448 |
| Confezione | TO-263-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 200V 30A 75mΩ@10V,15A 125W 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6359 | $ 2.6359 |
| 10+ | $2.3058 | $ 23.0580 |
| 30+ | $2.0999 | $ 62.9970 |
| 100+ | $1.8886 | $ 188.8600 |
| 500+ | $1.7929 | $ 896.4500 |
| 1000+ | $1.7520 | $ 1752.0000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB30NF20 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 200V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 30A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 75mΩ@10V,15A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 125W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.597nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 38nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6359 | $ 2.6359 |
| 10+ | $2.3058 | $ 23.0580 |
| 30+ | $2.0999 | $ 62.9970 |
| 100+ | $1.8886 | $ 188.8600 |
| 500+ | $1.7929 | $ 896.4500 |
| 1000+ | $1.7520 | $ 1752.0000 |
