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STMicroelectronics STB28NM60ND
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB28NM60ND |
| Codice Parte EBEE | E87324745 |
| Confezione | D2PAK(TO-263) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 23A 190W 150mΩ@10V,11.5A 5V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.4261 | $ 9.4261 |
| 200+ | $3.7621 | $ 752.4200 |
| 500+ | $3.6362 | $ 1818.1000 |
| 1000+ | $3.5741 | $ 3574.1000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB28NM60ND | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 23A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 150mΩ@10V,11.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 190W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 5V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 2.09nF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 62.5nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $9.4261 | $ 9.4261 |
| 200+ | $3.7621 | $ 752.4200 |
| 500+ | $3.6362 | $ 1818.1000 |
| 1000+ | $3.5741 | $ 3574.1000 |
