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STMicroelectronics STB28NM50N
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB28NM50N |
| Codice Parte EBEE | E82965242 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 500V 21A 150W 0.135Ω@10V,10.5A 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $4.6659 | $ 4.6659 |
| 10+ | $4.5492 | $ 45.4920 |
| 30+ | $4.4704 | $ 134.1120 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB28NM50N | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 158mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 4.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 21A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.735nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 122pF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@10V |
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