Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
STMicroelectronics STB24NM60N
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB24NM60N |
| Codice Parte EBEE | E86829557 |
| Confezione | D2PAK(TO-263) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 17A 190mΩ@10V,8A 125W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2732 | $ 4.2732 |
| 200+ | $1.7049 | $ 340.9800 |
| 500+ | $1.6483 | $ 824.1500 |
| 1000+ | $1.6209 | $ 1620.9000 |
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB24NM60N | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 17A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 190mΩ@10V,8A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 125W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.4nF@50V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 46nC@10V |
Guida all’acquisto
Espandi
In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2732 | $ 4.2732 |
| 200+ | $1.7049 | $ 340.9800 |
| 500+ | $1.6483 | $ 824.1500 |
| 1000+ | $1.6209 | $ 1620.9000 |
