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STMicroelectronics STB24N60M2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB24N60M2 |
| Codice Parte EBEE | E82970333 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 18A 150W 0.19Ω@10V,9A 2V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.9250 | $ 5.9250 |
| 10+ | $5.7944 | $ 57.9440 |
| 30+ | $5.7079 | $ 171.2370 |
| 100+ | $5.6214 | $ 562.1400 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB24N60M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 18A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.19Ω@10V,9A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 150W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2.2pF | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1060pF | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 29nC@480V |
Guida all’acquisto
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.9250 | $ 5.9250 |
| 10+ | $5.7944 | $ 57.9440 |
| 30+ | $5.7079 | $ 171.2370 |
| 100+ | $5.6214 | $ 562.1400 |
