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STMicroelectronics STB18NF25
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB18NF25 |
| Codice Parte EBEE | E8155570 |
| Confezione | TO-263-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 250V 17A 110W 165mΩ@10V,8.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0875 | $ 2.0875 |
| 10+ | $1.8265 | $ 18.2650 |
| 30+ | $1.6632 | $ 49.8960 |
| 100+ | $1.4964 | $ 149.6400 |
| 500+ | $1.4200 | $ 710.0000 |
| 1000+ | $1.3881 | $ 1388.1000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB18NF25 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 250V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 17A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 165mΩ@10V,8.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 110W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 29.5nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $2.0875 | $ 2.0875 |
| 10+ | $1.8265 | $ 18.2650 |
| 30+ | $1.6632 | $ 49.8960 |
| 100+ | $1.4964 | $ 149.6400 |
| 500+ | $1.4200 | $ 710.0000 |
| 1000+ | $1.3881 | $ 1388.1000 |
