Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
STMicroelectronics STB18N65M5
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB18N65M5 |
| Codice Parte EBEE | E82971036 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 710V 15A 0.22Ω@10V,7.5A 110W 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7211 | $ 4.7211 |
| 200+ | $1.8274 | $ 365.4800 |
| 500+ | $1.7626 | $ 881.3000 |
| 1000+ | $1.7320 | $ 1732.0000 |
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB18N65M5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 710V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 15A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.22Ω@10V,7.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 110W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 3.2pF | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.24nF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 31nC |
Guida all’acquisto
Espandi
In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7211 | $ 4.7211 |
| 200+ | $1.8274 | $ 365.4800 |
| 500+ | $1.7626 | $ 881.3000 |
| 1000+ | $1.7320 | $ 1732.0000 |
