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STMicroelectronics STB18N60DM2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB18N60DM2 |
| Codice Parte EBEE | E82965480 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 12A 0.295Ω@10V,6A 110W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $4.9201 | $ 49.2010 |
| 30+ | $4.4535 | $ 133.6050 |
| 100+ | $3.9823 | $ 398.2300 |
| 500+ | $3.7653 | $ 1882.6500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB18N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 295mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 1.33pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 800pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
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