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STMicroelectronics STB180N55F3
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB180N55F3 |
| Codice Parte EBEE | E86829553 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 55V 120A 330W 3.5mΩ@10V,60A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.6106 | $ 9.6106 |
| 200+ | $3.8351 | $ 767.0200 |
| 500+ | $3.7074 | $ 1853.7000 |
| 1000+ | $3.6434 | $ 3643.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB180N55F3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 55V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 120A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 3.5mΩ@10V,60A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 330W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 6.8nF@15V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 100nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $9.6106 | $ 9.6106 |
| 200+ | $3.8351 | $ 767.0200 |
| 500+ | $3.7074 | $ 1853.7000 |
| 1000+ | $3.6434 | $ 3643.4000 |
