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STMicroelectronics STB17N80K5
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB17N80K5 |
| Codice Parte EBEE | E8500933 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 800V 14A 290mΩ@10V,7A 170W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.7869 | $ 3.7869 |
| 10+ | $3.2652 | $ 32.6520 |
| 30+ | $2.9561 | $ 88.6830 |
| 100+ | $2.6440 | $ 264.4000 |
| 500+ | $2.4986 | $ 1249.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB17N80K5 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 290mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 420fF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 170W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 14A | |
| Ciss-Input Capacitance | 866pF | |
| Gate Charge(Qg) | 26nC@10V |
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