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STMicroelectronics STB160N75F3
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB160N75F3 |
| Codice Parte EBEE | E8457514 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 75V 120A 330W 3.7mΩ@10V,60A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.7374 | $ 12.7374 |
| 10+ | $12.3557 | $ 123.5570 |
| 14+ | $11.8464 | $ 165.8496 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB160N75F3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 75V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 120A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 3.7mΩ@10V,60A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 330W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 40pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 6.75nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | [email protected] |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $12.7374 | $ 12.7374 |
| 10+ | $12.3557 | $ 123.5570 |
| 14+ | $11.8464 | $ 165.8496 |
