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STMicroelectronics STB15N65M5
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB15N65M5 |
| Codice Parte EBEE | E8500931 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 11A 308mΩ@10V,5.5A 85W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3000 | $ 0.3000 |
| 10+ | $0.2947 | $ 2.9470 |
| 30+ | $0.2893 | $ 8.6790 |
| 100+ | $0.2858 | $ 28.5800 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB15N65M5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 11A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 308mΩ@10V,5.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 85W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2.6pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 816pF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | - |
Guida all’acquisto
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| 10+ | $0.2947 | $ 2.9470 |
| 30+ | $0.2893 | $ 8.6790 |
| 100+ | $0.2858 | $ 28.5800 |
