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STMicroelectronics STB13NM60N
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB13NM60N |
| Codice Parte EBEE | E8500930 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 11A 0.36Ω@10V,5.5A 90W 2V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.5955 | $ 4.5955 |
| 10+ | $4.0328 | $ 40.3280 |
| 30+ | $3.6991 | $ 110.9730 |
| 100+ | $3.3601 | $ 336.0100 |
| 500+ | $3.1329 | $ 1566.4500 |
| 1000+ | $3.0619 | $ 3061.9000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB13NM60N | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 11A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.36Ω@10V,5.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 90W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 3.6pF@50V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 790pF@50V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 27nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $4.5955 | $ 4.5955 |
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| 30+ | $3.6991 | $ 110.9730 |
| 100+ | $3.3601 | $ 336.0100 |
| 500+ | $3.1329 | $ 1566.4500 |
| 1000+ | $3.0619 | $ 3061.9000 |
